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活動内容
講演会
2017年9月度SSISフォーラム開催案内

2017年9月度 SSISフォーラム開催案内

一般社団法人半導体産業人協会
理事長　内海忠
講演企画委員長　増原利明

平素、SSISフォーラムにご出席いただき、厚くお礼申し上げます。2017年９月度フォーラムは下記の内容で開催する予定です。奮ってご出席、ご討論にご参加いただければ幸いです。

「MOS電界効果トランジスタの揺籃期から
バブルの時代までの研究―　Si/SiO2 系を中心とした研究とエピソード　―」

講師：菅野卓雄氏　東京大学　名誉教授

シリコンMOS電界効果トランジスタ(MOSFET)が発明されバイポーラトランジスタ(BPT)より製造プロセスが簡易であると期待されたが、ゲートに電圧を加えると電気的特性が変化するという不安定性が顕在化し、実用化が疑問視された時期があった。シリコン酸化膜研究会は私的な会合であったがこの問題解決に向けた産官学の情報共有の場として機能した。当時のMOSFETは動作速度がBPTより遅いことが次に問題になったが、文部省科学研究費補助金（特定研究）「表面エレクトロニクス」や表面量子化を主たる課題とする日米セミナーなどを通じてMOSFETのチャネルでのキャリア輸送現象の理解が進み、この問題解決の一助となった。その間東大ではクリーンルームが建設され、また講演者は1970年代後半から顕在化した日米半導体摩擦に関するスタンフォード大学での研究プロジェクトの日本側代表を務め、また実現したのは東京大学停年退官後あったが大規模集積回路設計教育・研究センター設置の構想案を纏める等研究活動が拡大、加速、充実していった経緯と反省を述べる。。

開催要領

日時	2017年9月28日(木) 　17：30－20：00
会場	林野会館（東京・茗荷谷）5Fホール文京区大塚3-28-7、TEL.03-3945-6871 地下鉄東京メトロ丸の内線「茗荷谷」駅より徒歩７分
プログラム	17:30　～　19:00 講演（5Fホール） MOS電界効果トランジスタの揺籃期からバブルの時代までの研究 ―　Si/SiO2 系を中心とした研究とエピソード　―」講師　～菅野卓雄氏～ 19:00　～　20:00 交流会（@林野会館　6F　604号室）
参加費	SSIS会員 3,000円（交流会参加費含）一般 4,000円（講演のみ）　 6,000円（講演及び交流会）参加費は当日会場にて申し受けます。なお、会員でない方は、当日の入会が可能です。
参加申し込み	SSIS事務局行（FAX：03-6457-3246　E-Mail ：info@ssis.or.jp でも承ります）
会場案内
詳細資料	講演内容詳細・お申込みなどはこちらの詳細資料からご確認ください。 2017年9月度SSISフォーラムのご案内（pdf）